氮化硅中氟、氯的測定
電子級的氮化硅薄膜是通過化學氣相沉淀或者等離子體增強化學氣相沉淀技術制造，而氮化硅中陰離子雜質尤其是鹵素會對相關接觸部件造成嚴重腐蝕，所以對氮化硅中陰離子雜質的準確測定具有重要意義。
分析柱：SH-G-1+SH-AC-11
流動相：12 mM KOH（EG）
流速：1.0 mL/min
柱溫：35℃
抑制器：SHY-A-6
進樣體積：25 μL
前處理：稱取適量樣品（準確記錄質量，精確到 0.0001 g）于樣品舟中，經燃燒離子色譜進樣分析。同時做樣品舟空燒對照組分析。
色譜測量數據
氮化硅中氟、氯的譜圖
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